EAF -Elektrode HP UHP RP -Note

Tatsächliche Durchmesser					Tatsächliche Längen
Mm	Mm	Max	Min	Rauer Fleck	Länge	Toleranz	Größe der Schuss Herrscher
200	8	204	201	198	1600	±100	-275
250	10	256	252	248	1600 1800
300	12	307	303	299
350	14	357	353	347
400	16	409	404	400	1600 1800 2000
450	18	460	455	451
500	20	511	506	502
600	24	613	607	604
780	31.2	782	776	774	2000 2200 2400	±100	-400
800	32	802	796	794
870	34.8	872	866	862
900	36	902	896	892
920	36.8	922	916	912
960	38.4	962	956	952
1020	40.8	1022	1016	1012	2200 2600 2800
1060	42.4	1062	1056	1052
1100	44	1102	1092	1092
1146	45.8	1148	1140	1138
1197	47.9	1199	1191	1189
1250	50	1252	1244	1242
1272	50.9	1274	1266	1264
1305	54.4	1307	1299	1297
1321	52.8	1323	1315	1313
1400	56	1402	1394	1392

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Wie beeinflussen Kohlenstoffgraphiteigenschaften die Leistung von RP-, HP- und UHP -EAF -Elektroden?

Die eindeutige Struktur von Carbon Graphit - hohe Reinheit, Richtungskristallinität und kontrollierte Porosität - ist grundlegend für die Leistung von RP-, HP- und UHP -Elektroden:

Reinheit: Niedriger Aschegehalt (<0.3% for UHP, <0.5% for HP, <1% for RP) minimizes impurities that react with oxygen at high temperatures (~3000°C), reducing oxidation and extending electrode life.

Kristallinität: Hochorientiertes Graphit (HOPG) in UHP -Elektroden senkt den Widerstand durch Ausrichtung von Kohlenstoffatomen und erleichtert den effizienten Stromfluss. HP -Elektroden verwenden mäßig orientiertes Graphit, während RP -Elektroden mehr zufällige Strukturen aufweisen, was den Widerstand erhöht.

Mikrostruktur: UHP -Elektroden sind dicht, fein - körnige Matrizen mit weniger Poren, wodurch die mechanische Festigkeit (größer oder gleich 18 MPa) und thermischer Stoßwiderstand verbessert werden. HP -Elektroden können die Dichte und Porosität für mäßige Festigkeit (14–16 MPa) ausgleichen, während RP -Elektroden koariere Körner und größere Poren aufweisen, wodurch die Festigkeit (12–14 MPa) verringert wird.

Diese Carbon -Graphit -Eigenschaften bestimmen direkt die elektrische Effizienz, Haltbarkeit und Eignung für hohe - -An -EAF -Umgebungen.